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半导体装置
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910001182.7
申请日：
2019-01-02
公开(公告)号：
CN110165878B
公开(公告)日：
2024-12-13
发明(设计)人：
中川翔
申请人：
富士电机株式会社
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
H02M1/32
IPC分类号：
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
周春燕;金玉兰
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-13 | 授权 | 授权 |
| 2025-03-21 | 专利权期限的补偿 | 专利权期限补偿IPC(主分类):H02M 1/32申请日:20190102授权公告日:20241213原专利权期满终止日:20390102现专利权期满终止日:20390928 |