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半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201880088565.6
申请日：
2018-02-09
公开(公告)号：
CN111684677B
公开(公告)日：
2020-09-18
发明(设计)人：
上野诚 西村一广 山本刚司
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H02H720
IPC分类号：
F02P3055
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
何立波;张天舒
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-09-18 公开 公开
2022-08-26 授权 授权
2020-10-20 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 7/20 申请日:20180209
共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
上村仁 .
中国专利 :CN107155387B ,2017-09-12
[2]
半导体装置 [P]. 
中川翔 .
中国专利 :CN110165878A ,2019-08-23
[3]
半导体装置 [P]. 
中川翔 .
日本专利 :CN110165878B ,2024-12-13
[4]
半导体装置 [P]. 
岩水守生 ;
山科普士 .
日本专利 :CN110289842B ,2024-06-07
[5]
半导体装置 [P]. 
宅间彻 ;
山田克明 .
中国专利 :CN114175238A ,2022-03-11
[6]
半导体装置 [P]. 
加藤良隆 ;
小宫健治 ;
进藤祐辅 ;
林庆德 ;
若林健一 .
中国专利 :CN109661763A ,2019-04-19
[7]
半导体装置 [P]. 
清水直树 .
日本专利 :CN119276247A ,2025-01-07
[8]
半导体装置 [P]. 
前田凉 ;
渡边莊太 .
日本专利 :CN119834779A ,2025-04-15
[9]
半导体装置 [P]. 
川村幸雄 .
日本专利 :CN119315978A ,2025-01-14
[10]
半导体装置 [P]. 
黑泽英二 .
日本专利 :CN121124529A ,2025-12-12
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