用于锡氧化物半导体的组合物以及形成锡氧化物半导体薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410131298.X

申请日：

2014-04-02

公开(公告)号：

CN104276601A

公开(公告)日：

2015-01-14

发明(设计)人：

崔千基牟然坤金显栽林炫秀金是鐏郑泰秀林裕承

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C01G3000

IPC分类号：

C01G1900 C03C1723

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

王达佐;阴亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672618968 IPC(主分类):C01G 30/00 专利申请号:201410131298X 申请日:20140402
2015-01-14	公开	公开
2019-02-19	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[2]

氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法 [P].

朴瑨哲 ;

文相渊 .

中国专利 :CN111141784B ,2020-05-12

[3]

氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110809826A ,2020-02-18

[4]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

[5]

氧化物半导体 [P].

安秉斗 ;

李制勋 ;

朴世容 ;

朴埈贤 ;

金建熙 ;

林志勋 ;

朴在佑 ;

朴镇成 ;

钉宫敏洋 ;

三木绫 ;

森田晋也 ;

岸智也 ;

田尾博昭 .

中国专利 :CN103022144A ,2013-04-03

[6]

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 [P].

井上聪 ;

下田达也 ;

川北知纪 ;

藤本信贵 ;

西冈圣司 .

中国专利 :CN105474372A ,2016-04-06

[7]

晶体氧化物半导体薄膜、晶体氧化物半导体薄膜的制造方法以及薄膜晶体管 [P].

井上一吉 ;

宇都野太 ;

霍间勇辉 ;

笘井重和 ;

江端一晃 .

中国专利 :CN107924822A ,2018-04-17

[8]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119866389A ,2025-04-22

[9]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119948198A ,2025-05-06

[10]

氧化物半导体薄膜、氧化物半导体薄膜的制造方法以及使用其的薄膜晶体管 [P].

中山德行 ;

西村英一郎 ;

松村文彦 ;

白木真菜 .

中国专利 :CN108713245A ,2018-10-26

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