氧化物半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210359296.7

申请日：

2012-09-24

公开(公告)号：

CN103022144A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

安秉斗李制勋朴世容朴埈贤金建熙林志勋朴在佑朴镇成钉宫敏洋三木绫森田晋也岸智也田尾博昭

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2924

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王新华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/786 登记生效日:20221214 变更事项:专利权人变更前权利人:三星显示有限公司变更后权利人:三星显示有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国京畿道变更后权利人:韩国京畿道变更事项:专利权人变更前权利人:朴镇成株式会社神户制钢所变更后权利人:朴镇成
2013-04-03	公开	公开
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587392030 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2012103592967 申请日:20120924
2018-06-15	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物半导体靶和氧化物半导体材料及半导体装置 [P].

若菜裕纪 ;

内山博幸 ;

福岛英子 .

中国专利 :CN103579360A ,2014-02-12

[2]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[3]

氧化物半导体及半导体装置 [P].

金子健太郎 ;

高根伦史 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN117751435A ,2024-03-22

[4]

氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110809826A ,2020-02-18

[5]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[6]

氧化物半导体膜和半导体器件 [P].

宫永美纪 ;

绵谷研一 ;

粟田英章 .

中国专利 :CN106104811A ,2016-11-09

[7]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

高桥正弘 ;

秋元健吾 ;

山崎舜平 .

中国专利 :CN106057865A ,2016-10-26

[8]

氧化物半导体膜及半导体装置 [P].

菅野亮平 .

中国专利 :CN114342086A ,2022-04-12

[9]

半导体器件和氧化物半导体薄膜 [P].

李光熙 ;

朴镇成 ;

金尚昱 ;

车映官 ;

柳盛还 ;

金慧美 .

韩国专利 :CN120076378A ,2025-05-30

[10]

氧化物半导体膜以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

津吹将志 ;

秋元健吾 ;

大原宏树 ;

本田达也 ;

小俣贵嗣 ;

野中裕介 ;

高桥正弘 ;

宫永昭治 .

中国专利 :CN105336791A ,2016-02-17

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