包含侧发光半导体发光器件的背光

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880103742.X

申请日：

2008-08-14

公开(公告)号：

CN101784838A

公开(公告)日：

2010-07-21

发明(设计)人：

G·W·恩格 S·比尔休詹 G·哈伯斯 K·卡兰塔

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

F21V800

IPC分类号：

G02B600 G02F113357

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李舒;谭祐祥

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007281925 IPC(主分类):F21V 8/00 专利申请号:200880103742X 申请日:20080814
2014-05-14	授权	授权
2016-10-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101681174621 IPC(主分类):G02F 1/13357 专利号:ZL200880103742X 申请日:20080814 授权公告日:20140514 终止日期:20150814
2010-07-21	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[2]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[3]

半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101771125A ,2010-07-07

[4]

半导体发光器件和面发光器件 [P].

小野玲司 .

中国专利 :CN100380698C ,2006-08-30

[5]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

[6]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

中津弘志 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 .

中国专利 :CN1319183C ,2004-05-19

[7]

半导体发光器件的制造方法和半导体发光器件 [P].

平田照二 ;

成井启修 .

中国专利 :CN1311553A ,2001-09-05

[8]

制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件 [P].

金台勋 ;

金起范 ;

许元九 ;

金荣善 ;

金起成 .

中国专利 :CN102315340B ,2012-01-11

[9]

半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P].

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23

[10]

半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法 [P].

仓桥孝尚 ;

村上哲朗 ;

大山尚一 ;

山本修 .

中国专利 :CN1741294A ,2006-03-01

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