使用双重图案化的自对准纳米线的形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410808255.0

申请日：

2014-12-22

公开(公告)号：

CN105140100B

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

傅劲逢陈德芳严佑展李佳颖李俊鸿林焕哲

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21308

IPC分类号：

H01L2978 H01L218234 H01L21306 H01L2906 H01L23528 H01L21311 H01L27088 H01L2136 H01L29786 H01L29423

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

纳米片的直接印刷和自对准双重图案化 [P].

S·西埃格 ;

D·J·德切尼 ;

E·米勒 .

美国专利 :CN114175211B ,2025-05-20

[2]

纳米片的直接印刷和自对准双重图案化 [P].

S·西埃格 ;

D·J·德切尼 ;

E·米勒 .

中国专利 :CN114175211A ,2022-03-11

[3]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795A ,2020-08-11

[4]

自对准双重图形化方法及其形成的半导体结构 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN111524795B ,2024-02-27

[5]

自对准纳米线 [P].

M.阿姆斯特隆 ;

B.古哈 ;

姜俊成 ;

B.E.比蒂 ;

T.贾尼 .

中国专利 :CN111316444A ,2020-06-19

[6]

使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法 [P].

格雷戈里·查尔斯·鲍德温 ;

斯科特·威廉·耶森 .

中国专利 :CN104716031B ,2015-06-17

[7]

实现自对准型双重图形的方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103578932B ,2014-02-12

[8]

自对准双重图形化半导体结构的制作方法 [P].

叶滋婧 .

中国专利 :CN109841503A ,2019-06-04

[9]

形成半导体有源区和隔离区域的双重图案化方法 [P].

J-W.杨 ;

C-S.苏 .

中国专利 :CN106415816B ,2017-02-15

[10]

自对准多重图案化的半导体元件及其工艺 [P].

洪钰珉 ;

李建颖 ;

韩宗廷 .

中国专利 :CN107293548B ,2017-10-24

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	公开	公开
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640719372 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014108082550 申请日:20141222
2018-07-20	授权	授权