使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410764481.3

申请日：

2014-12-11

公开(公告)号：

CN104716031B

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

格雷戈里·查尔斯·鲍德温斯科特·威廉·耶森

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

路勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	公开	公开
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688995317 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014107644813 申请日:20141211
2019-07-19	授权	授权

共 50 条

[1]

采用双重图形化技术形成栅极的方法 [P].

刘畅 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN105489480A ,2016-04-13

[2]

使用双重图案化的自对准纳米线的形成 [P].

傅劲逢 ;

陈德芳 ;

严佑展 ;

李佳颖 ;

李俊鸿 ;

林焕哲 .

中国专利 :CN105140100B ,2015-12-09

[3]

栅极LELE双重图形成型方法 [P].

黄君 ;

毛智彪 ;

李全波 ;

甘志锋 ;

李润领 .

中国专利 :CN103439862B ,2013-12-11

[4]

制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法 [P].

袁磊 ;

J·桂 .

中国专利 :CN103311102B ,2013-09-18

[5]

使用间隔件双重图案化印刷多个结构宽度的方法 [P].

金勇韩 ;

崔尹升 .

中国专利 :CN104716032B ,2015-06-17

[6]

用于双重图案化设计的掩模处理 [P].

杨景峰 ;

陈启平 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN103367119A ,2013-10-23

[7]

用于自对准多重图案化技术的间隙壁形成 [P].

埃里克·柳 ;

阿基特若·高 .

中国专利 :CN109997211A ,2019-07-09

[8]

多重图案化的方法 [P].

陈士弘 ;

吕函庭 .

中国专利 :CN102623448A ,2012-08-01

[9]

用于多重图案化技术的导线布线 [P].

萧有呈 ;

詹伟闵 ;

谢艮轩 .

中国专利 :CN103972157A ,2014-08-06

[10]

用于多重图案化技术的单元布局 [P].

陈皇宇 ;

侯元德 ;

谢艮轩 ;

刘如淦 ;

鲁立忠 .

中国专利 :CN102542099B ,2012-07-04

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