用于自对准多重图案化技术的间隙壁形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780071268.6

申请日：

2017-09-19

公开(公告)号：

CN109997211A

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

埃里克·柳阿基特若·高

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L213065 H01L2102 H01L2966 H01L2167

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

杜诚;刘敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20170919
2020-10-02	授权	授权
2019-07-09	公开	公开

共 27 条

[1]

用于多重图案化技术的导线布线 [P].

萧有呈 ;

詹伟闵 ;

谢艮轩 .

中国专利 :CN103972157A ,2014-08-06

[2]

用于多重图案化技术的单元布局 [P].

陈皇宇 ;

侯元德 ;

谢艮轩 ;

刘如淦 ;

鲁立忠 .

中国专利 :CN102542099B ,2012-07-04

[3]

用于实现最小图案失配的多重图案化技术方法和系统 [P].

张峰铭 ;

杨昌达 ;

王屏薇 ;

曹敏 .

中国专利 :CN103065947B ,2013-04-24

[4]

用于多重图案化技术的设计规则检查的方法和系统 [P].

徐孟楷 ;

侯元德 ;

陈文豪 .

中国专利 :CN107145618A ,2017-09-08

[5]

确定多重图案化步骤叠加误差 [P].

A·古普塔 ;

夏清 ;

O·莫罗 ;

K·拉娅 .

中国专利 :CN107743596A ,2018-02-27

[6]

双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺 [P].

S·M·列扎·萨贾迪 ;

李路明 ;

安德鲁·R·罗马诺 .

中国专利 :CN101971291A ,2011-02-09

[7]

使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法 [P].

格雷戈里·查尔斯·鲍德温 ;

斯科特·威廉·耶森 .

中国专利 :CN104716031B ,2015-06-17

[8]

用于双重图案化设计的掩模处理 [P].

杨景峰 ;

陈启平 ;

陈殿豪 .

中国专利 :CN103367119A ,2013-10-23

[9]

利用自对准双图案化技术于网格外布线结构的方法 [P].

袁磊 ;

J·桂 ;

H·J·莱文森 .

中国专利 :CN104064515A ,2014-09-24

[10]

制作与双重图案化技术兼容的转折布局绕线的方法 [P].

袁磊 ;

J·桂 .

中国专利 :CN103311102B ,2013-09-18