双掩模自对准双图案化技术(SaDPT)工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980104994.9

申请日：

2009-01-22

公开(公告)号：

CN101971291A

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

S·M·列扎·萨贾迪李路明安德鲁·R·罗马诺

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

周文强;李献忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20090122 授权公告日:20130403 终止日期:20200122
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059700896 IPC(主分类):H01L 21/027 专利申请号:2009801049949 申请日:20090122
2011-02-09	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 11 条

[1]

利用自对准双图案化技术于网格外布线结构的方法 [P].

袁磊 ;

J·桂 ;

H·J·莱文森 .

中国专利 :CN104064515A ,2014-09-24

[2]

利用单图案化隔离件技术的双图案化技术 [P].

陈皇宇 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 ;

谢铭峰 ;

刘如淦 ;

鲁立忠 .

中国专利 :CN103745921B ,2014-04-23

[3]

利用单图案化隔离件技术的双图案化技术 [P].

陈皇宇 ;

谢艮轩 ;

欧宗桦 ;

范芳瑜 ;

侯元德 ;

谢铭峰 ;

刘如淦 ;

鲁立忠 .

中国专利 :CN102456550A ,2012-05-16

[4]

用于自对准多重图案化技术的间隙壁形成 [P].

埃里克·柳 ;

阿基特若·高 .

中国专利 :CN109997211A ,2019-07-09

[5]

基于反间隔件的自对准高阶图案化 [P].

布伦南·彼得森 ;

菲利普·D·胡斯塔德 .

美国专利 :CN117941029A ,2024-04-26

[6]

双图案化技术中减少颜色密度差异的针脚嵌入 [P].

王道宁 ;

S·马达范 ;

路易奇卡波迪耶西 .

中国专利 :CN104051234B ,2014-09-17

[7]

一种光刻-冻结-光刻-刻蚀双图案化方法 [P].

李天慧 ;

王科 ;

秦俊峰 ;

于星 ;

曾伟雄 .

中国专利 :CN112530793B ,2021-03-19

[8]

使用嵌段共聚物的定向自组装的自对准图案化 [P].

安德鲁·梅斯 ;

安东·德维利耶 .

中国专利 :CN107112207A ,2017-08-29

[9]

基于异形双柱体阵列的新型图案化纳米结构制备方法 [P].

周玲 .

中国专利 :CN111483976A ,2020-08-04

[10]

一种双脉冲技术柔性聚合物表面金属化设备及方法 [P].

廖斌 ;

欧阳晓平 ;

陈琳 ;

欧阳潇 ;

吴杰 ;

吴嘉锟 ;

罗军 ;

庞盼 ;

吴先映 .

中国专利 :CN116988011B ,2025-10-24