CMP抛光剂以及衬底的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580031762.7

申请日：

2005-09-27

公开(公告)号：

CN101023512A

公开(公告)日：

2007-08-22

发明(设计)人：

仓田靖榎本和宏小山直之深泽正人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

葛松生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-08-22	公开	公开
2010-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101333418A ,2008-12-31

[2]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101032001A ,2007-09-05

[3]

抛光剂及基片的抛光方法 [P].

町井洋一 ;

小山直之 ;

西山雅也 ;

吉田诚人 .

中国专利 :CN1290162C ,2003-11-19

[4]

抛光剂及基片的抛光方法 [P].

町井洋一 ;

小山直之 ;

西山雅也 ;

吉田诚人 .

中国专利 :CN1746255B ,2006-03-15

[5]

CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

仓田靖 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN101311205A ,2008-11-26

[6]

CMP研磨剂以及衬底的研磨方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

仓田靖 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 ;

大槻裕人 .

中国专利 :CN1985361A ,2007-06-20

[7]

抛光剂及其制造方法以及抛光方法 [P].

谷泰弘 ;

卢毅申 .

中国专利 :CN1366549A ,2002-08-28

[8]

用于抛光钴的浆液以及衬底抛光方法 [P].

朴珍亨 .

中国专利 :CN106010296B ,2016-10-12

[9]

多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底 [P].

郭超 ;

母文凤 .

中国专利 :CN117304814B ,2024-03-12

[10]

抛光剂及其制备方法 [P].

丁杰 ;

薛钦 ;

钱宜刚 ;

汤明明 ;

陈峰 ;

顾登峰 ;

马俊逸 .

中国专利 :CN114213977A ,2022-03-22

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