抛光剂及基片的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510108259.9

申请日：

2002-02-20

公开(公告)号：

CN1746255B

公开(公告)日：

2006-03-15

发明(设计)人：

町井洋一小山直之西山雅也吉田诚人

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C09K314

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

徐川

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C09K 3/14 申请日:20020220 授权公告日:20101110
2006-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-10	授权	授权
2006-03-15	公开	公开

共 50 条

[1]

抛光剂及基片的抛光方法 [P].

町井洋一 ;

小山直之 ;

西山雅也 ;

吉田诚人 .

中国专利 :CN1290162C ,2003-11-19

[2]

半导体基片用的抛光剂 [P].

S·布拉德尔 ;

O·海茨施 .

中国专利 :CN1116372C ,2000-08-30

[3]

G·海伊 ;

A·阿格希纳 .

中国专利 :CN101029208A ,2007-09-05

[4]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

仓田靖 ;

榎本和宏 ;

小山直之 ;

深泽正人 .

中国专利 :CN101023512A ,2007-08-22

[5]

宫下直人 ;

安部正泰 ;

下村玛丽子 .

中国专利 :CN1072699C ,1997-10-15

[6]

一种抛光剂及抛光方法 [P].

韦家亮 .

中国专利 :CN119776837A ,2025-04-08

[7]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101333418A ,2008-12-31

[8]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101032001A ,2007-09-05

[9]

一种抛光剂及其制备方法及除垢抛光方法 [P].

连俊兰 ;

陈帆 ;

林宏业 .

中国专利 :CN106906475A ,2017-06-30

[10]

抛光剂及其制造方法以及抛光方法 [P].

谷泰弘 ;

卢毅申 .

中国专利 :CN1366549A ,2002-08-28

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