用于抛光钴的浆液以及衬底抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610157056.7

申请日：

2016-03-18

公开(公告)号：

CN106010296B

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

朴珍亨

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面鹤村路10

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

B24B3704

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

杨贝贝;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686883882 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2016101570567 申请日:20160318
2016-10-12	公开	公开
2019-06-04	授权	授权

共 50 条

[1]

抛光浆液和使用其抛光衬底的方法 [P].

朴珍亨 .

中国专利 :CN105925198B ,2016-09-07

[2]

用于钨的抛光浆料以及衬底抛光方法 [P].

郑胜元 .

中国专利 :CN105839110A ,2016-08-10

[3]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101333418A ,2008-12-31

[4]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

仓田靖 ;

榎本和宏 ;

小山直之 ;

深泽正人 .

中国专利 :CN101023512A ,2007-08-22

[5]

CMP抛光剂以及衬底的抛光方法 [P].

深泽正人 ;

小山直之 ;

芳贺浩二 ;

阿久津利明 .

中国专利 :CN101032001A ,2007-09-05

[6]

钨抛光浆料和抛光衬底的方法 [P].

朴珍亨 .

中国专利 :CN106883766B ,2017-06-23

[7]

半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液 [P].

陈意桥 ;

钱磊 ;

周千学 .

中国专利 :CN112701037A ,2021-04-23

[8]

抛光浆料以及使用所述抛光浆料的衬底抛光方法 [P].

郑胜元 .

中国专利 :CN104746080A ,2015-07-01

[9]

一种SiC衬底的抛光方法、抛光的SiC衬底及复合衬底 [P].

范博珺 ;

母凤文 ;

谭向虎 ;

刘福超 ;

郭超 .

中国专利 :CN118832521A ,2024-10-25

[10]

衬底抛光方法 [P].

户川哲二 ;

锅谷治 .

中国专利 :CN101241843B ,2008-08-13

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