半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680028373.3

申请日：

2006-07-26

公开(公告)号：

CN101233604A

公开(公告)日：

2008-07-30

发明(设计)人：

约翰内斯·J·T·M·东科尔斯韦伯·D·范诺尔特弗朗索瓦·纳耶

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L2910 H01L29732 H01L29737

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

陈源;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-10-05	授权	授权
2008-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹汝祖 .

中国专利 :CN101465350A ,2009-06-24

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

平井健裕 ;

田中光男 ;

堀敦 ;

下村浩 ;

堀川良彦 .

中国专利 :CN1093493A ,1994-10-12

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN103247623B ,2013-08-14

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

菲利浦·默尼耶-贝拉德 ;

约翰内斯·J·T·M·唐克斯 ;

埃尔温·海鲁 .

中国专利 :CN102017130A ,2011-04-13

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

小林纯一郎 .

中国专利 :CN1540765A ,2004-10-27

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

P·阿加瓦尔 ;

J·W·斯罗特布姆 ;

G·多恩博斯 .

中国专利 :CN1957461A ,2007-05-02

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐藤文彦 .

中国专利 :CN1099129C ,1998-06-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

菲利浦·默尼耶-贝拉德 ;

马克·C·J·C·M·克拉默 ;

约翰内斯·J·T·M·唐克斯 ;

纪尧姆·伯卡迪 .

中国专利 :CN101960584A ,2011-01-26

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

森本卓夫 .

中国专利 :CN102232248B ,2011-11-02

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