半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980148357.1

申请日：

2009-11-18

公开(公告)号：

CN102232248B

公开(公告)日：

2011-11-02

发明(设计)人：

森本卓夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

H01L21331 H01L218222 H01L2706 H01L27146 H01L29732

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;安翔

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	公开	公开
2016-01-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101642078793 IPC(主分类):H01L 31/10 专利号:ZL2009801483571 申请日:20091118 授权公告日:20130508 终止日期:20141118
2013-05-08	授权	授权
2011-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101152731235 IPC(主分类):H01L 31/10 专利申请号:2009801483571 申请日:20091118

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

平井健裕 ;

田中光男 ;

堀敦 ;

下村浩 ;

堀川良彦 .

中国专利 :CN1093493A ,1994-10-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐山弘和 .

中国专利 :CN103311246A ,2013-09-18

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

若林利广 ;

濑户山孝男 ;

浅野佑次 ;

五十岚章郎 .

中国专利 :CN101064280A ,2007-10-31

[5]

光学半导体器件及其制造方法 [P].

岩井誉贵 .

中国专利 :CN101449389A ,2009-06-03

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111106163A ,2020-05-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN103247623B ,2013-08-14

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

约翰内斯·J·T·M·东科尔斯 ;

韦伯·D·范诺尔特 ;

弗朗索瓦·纳耶 .

中国专利 :CN101233604A ,2008-07-30

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

土屋义规 ;

小山正人 ;

吉木昌彦 .

中国专利 :CN100541818C ,2007-09-12

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

李乐 ;

周俊 ;

王岩 .

中国专利 :CN114420645A ,2022-04-29

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