半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310074966.5

申请日：

2013-03-11

公开(公告)号：

CN103311246A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

佐山弘和

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L218234 H01L21336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

冯玉清

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-10	授权	授权
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722197061 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2013100749665 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效专利申请号:2013100749665 申请日:20130311 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604828847 IPC(主分类):H01L 27/088
2013-09-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN103247623B ,2013-08-14

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

津田是文 ;

山下朋弘 .

中国专利 :CN106952920B ,2017-07-14

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

尹汝祖 .

中国专利 :CN101465350A ,2009-06-24

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

李孟烈 .

中国专利 :CN102593119B ,2012-07-18

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

森本卓夫 .

中国专利 :CN102232248B ,2011-11-02

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

小清水亮 ;

河合彻 ;

中柴康隆 ;

山口智也 .

日本专利 :CN120111956A ,2025-06-06

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

藤井宏基 .

中国专利 :CN1118872C ,1999-06-02

[8]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

F.希尔勒 ;

C.坎彭 ;

A.迈泽 .

中国专利 :CN103915499A ,2014-07-09

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金大植 .

中国专利 :CN101335240B ,2008-12-31

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