半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611236524.6

申请日：

2016-12-28

公开(公告)号：

CN106952920B

公开(公告)日：

2017-07-14

发明(设计)人：

津田是文山下朋弘

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L2711568

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;张昊

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	授权	授权
2017-07-14	公开	公开
2018-12-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20161228

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐山弘和 .

中国专利 :CN103311246A ,2013-09-18

[2]

半导体器件制造方法及其半导体器件 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山口伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1716570A ,2006-01-04

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

金大植 .

中国专利 :CN101335240B ,2008-12-31

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

骆志炯 ;

尹海洲 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102074479A ,2011-05-25

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

张青淳 .

中国专利 :CN108346577B ,2018-07-31

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN111106163A ,2020-05-05

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

松尾浩司 .

中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

渡部浩 ;

成毛清美 ;

增田和纪 .

中国专利 :CN1354522A ,2002-06-19

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴圣根 .

中国专利 :CN103247623B ,2013-08-14

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张炳琸 .

中国专利 :CN101290936A ,2008-10-22

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