半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411689894.X

申请日：

2024-11-25

公开(公告)号：

CN120111956A

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

小清水亮河合彻中柴康隆山口智也

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/03 H10D30/65 H10D30/01

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

刘奇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

古武直也 ;

斋藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103632921B ,2014-03-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈本康宏 ;

町田信夫 ;

新井耕一 ;

久田贤一 ;

山下泰典 ;

江口聪司 ;

宫本广信 ;

酒井敦 ;

永久克己 .

中国专利 :CN110098258A ,2019-08-06

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山田敬 ;

梶山健 .

中国专利 :CN1357924A ,2002-07-10

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

德田法史 ;

楠茂 .

中国专利 :CN1669151A ,2005-09-14

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

嘉屋旨哲 ;

中原宁 .

中国专利 :CN107665923A ,2018-02-06

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

斋藤真澄 ;

内田建 .

中国专利 :CN101546770B ,2009-09-30

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN102891178A ,2013-01-23

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

小山治彦 .

中国专利 :CN1542975A ,2004-11-03

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

冈本康宏 ;

町田信夫 ;

新井耕一 ;

久田贤一 ;

山下泰典 ;

江口聪司 ;

宫本广信 ;

酒井敦 ;

永久克己 .

日本专利 :CN110098258B ,2024-10-01

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

佐山弘和 .

中国专利 :CN103311246A ,2013-09-18

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