硅基板的研磨方法及研磨用组合物套组

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780014728.1

申请日：

2017-02-13

公开(公告)号：

CN108713242A

公开(公告)日：

2018-10-26

发明(设计)人：

高见信一郎川崎雄介

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

B24B3700 C09K314

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	公开	公开
2018-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:20170213

共 50 条

[1]

硅基板中间研磨用组合物及硅基板研磨用组合物套组 [P].

土屋公亮 ;

浅田真希 ;

百田怜史 .

中国专利 :CN110177853A ,2019-08-27

[2]

硅基板的研磨方法和研磨用组合物套组 [P].

田畑诚 .

日本专利 :CN108966673B ,2024-02-27

[3]

硅基板的研磨方法和研磨用组合物套组 [P].

田畑诚 .

中国专利 :CN108966673A ,2018-12-07

[4]

基板的研磨方法及研磨用组合物套组 [P].

田畑诚 .

中国专利 :CN110914958A ,2020-03-24

[5]

研磨用组合物及硅基板的研磨方法 [P].

土屋公亮 ;

市坪大辉 ;

丹所久典 ;

须贺裕介 .

中国专利 :CN108699425A ,2018-10-23

[6]

硅晶圆的研磨方法、研磨用组合物及研磨用组合物套组 [P].

土屋公亮 ;

浅田真希 .

中国专利 :CN106463386B ,2017-02-22

[7]

研磨用组合物和研磨用组合物套组 [P].

土屋公亮 ;

丹所久典 ;

市坪大辉 ;

浅田真希 .

中国专利 :CN109673157B ,2019-04-23

[8]

研磨用组合物及硅晶片的研磨方法 [P].

杉田规章 .

中国专利 :CN114846110A ,2022-08-02

[9]

研磨用组合物及硅晶片的研磨方法 [P].

杉田规章 .

日本专利 :CN114846110B ,2024-05-28

[10]

研磨方法、研磨用组合物以及研磨用组合物套装 [P].

清水干和 .

中国专利 :CN1939663A ,2007-04-04

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