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一种发光场效应晶体管及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111496271.7
申请日
:
2021-12-09
公开(公告)号
:
CN114242921A
公开(公告)日
:
2022-03-25
发明(设计)人
:
庞超
龚政
胡诗犇
王建太
郭婵
李育智
邹胜晗
潘章旭
陈志涛
申请人
:
申请人地址
:
510651 广东省广州市天河区长兴路363号
IPC主分类号
:
H01L5154
IPC分类号
:
H01L5150
H01L5152
H01L5156
B82Y3000
代理机构
:
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
:
宋家会
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-25
公开
公开
2022-04-12
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/54 申请日:20211209
共 50 条
[1]
一种发光场效应晶体管及其制备方法
[P].
庞超
论文数:
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
庞超
;
龚政
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
龚政
;
胡诗犇
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
胡诗犇
;
王建太
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
王建太
;
郭婵
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
郭婵
;
李育智
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
李育智
;
邹胜晗
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
邹胜晗
;
潘章旭
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机构:
广东省科学院半导体研究所
广东省科学院半导体研究所
潘章旭
;
论文数:
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机构:
陈志涛
.
中国专利
:CN114242921B
,2024-02-20
[2]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
岳德武
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岳德武
;
王新中
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王新中
;
刘新科
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刘新科
.
中国专利
:CN115360258A
,2022-11-18
[3]
场效应晶体管及场效应晶体管的制备方法
[P].
徐慧龙
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徐慧龙
;
秦旭东
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秦旭东
;
张臣雄
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张臣雄
.
中国专利
:CN108475680A
,2018-08-31
[4]
量子点发光场效应晶体管及其制备方法
[P].
肖标
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肖标
;
付东
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付东
;
闫晓林
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闫晓林
.
中国专利
:CN105304830A
,2016-02-03
[5]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
刘明
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刘明
;
韩买兴
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韩买兴
;
姬濯宇
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姬濯宇
;
商立伟
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商立伟
;
刘欣
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刘欣
;
王宏
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王宏
.
中国专利
:CN102479820A
,2012-05-30
[6]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
黄晓橹
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黄晓橹
.
中国专利
:CN104599968A
,2015-05-06
[7]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
倪崇尧
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机构:
湖南虹安微电子有限责任公司
湖南虹安微电子有限责任公司
倪崇尧
.
中国专利
:CN120812987A
,2025-10-17
[8]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
李炫璋
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机构:
清华大学
清华大学
李炫璋
;
魏洋
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机构:
清华大学
清华大学
魏洋
;
范守善
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清华大学
清华大学
范守善
;
张跃钢
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机构:
清华大学
清华大学
张跃钢
.
中国专利
:CN117525158A
,2024-02-06
[9]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
卢年端
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卢年端
;
李泠
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李泠
;
揣喜臣
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揣喜臣
;
杨冠华
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杨冠华
;
耿玓
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耿玓
;
刘明
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刘明
.
中国专利
:CN110098256A
,2019-08-06
[10]
场效应晶体管及其制备方法
[P].
张天夫
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张天夫
;
张立辉
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张立辉
;
金元浩
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金元浩
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李群庆
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李群庆
;
范守善
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范守善
.
中国专利
:CN114613676A
,2022-06-10
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