用于形成晶片的背面处理的对准特征的装置和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480039409.2

申请日：

2014-07-22

公开(公告)号：

CN105378910B

公开(公告)日：

2016-03-02

发明(设计)人：

C·H·查奥 W·D·索耶 T·K·努南

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2178

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

申发振

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652513515 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014800394092 申请日:20140722
2016-03-02	公开	公开
2018-06-05	授权	授权

共 50 条

[1]

用于晶片背面研磨的装置和方法 [P].

G·E·S·雷耶斯 ;

C·奥因 .

美国专利 :CN119526262A ,2025-02-28

[2]

用于使晶片对准和居中的装置和方法 [P].

H·约翰森 ;

G·乔治 ;

M·布瑞南 .

中国专利 :CN105518844B ,2016-04-20

[3]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN103168350B ,2013-06-19

[4]

用于处理晶片的装置和方法 [P].

P.林德纳 ;

P-O.杭维尔 .

中国专利 :CN107978544A ,2018-05-01

[5]

晶片对准装置和方法 [P].

崔丞佑 ;

朴庆善 .

中国专利 :CN103311168A ,2013-09-18

[6]

晶片背面缺陷的监测方法和系统 [P].

李磊 ;

赵简 .

中国专利 :CN101764075B ,2010-06-30

[7]

用于对准掩模段的对准装置和方法 [P].

T·K·克拉克 .

中国专利 :CN1279629C ,2003-06-18

[8]

晶片预对准装置和方法 [P].

稻永正道 ;

胜田信一 ;

有永雄司 .

中国专利 :CN1659695A ,2005-08-24

[9]

用于对准基板的方法和装置 [P].

J·克罗尔 .

中国专利 :CN114730719A ,2022-07-08

[10]

用于对准基板的方法和装置 [P].

J·克罗尔 .

:CN114730719B ,2025-12-30

← 1 2 3 4 5 →