抛光装置及基片处理装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03801220.0

申请日：

2003-04-09

公开(公告)号：

CN100380599C

公开(公告)日：

2005-01-12

发明(设计)人：

若林聪户川哲二小菅隆一阿藤浩司外崎宏

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	公开	公开
2005-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-09	授权	授权

共 50 条

[1]

基片处理装置及基片处理方法 [P].

折居武彦 ;

天井勝 .

中国专利 :CN100367473C ,2005-02-16

[2]

基片处理装置及基片处理方法 [P].

樱井宏纪 .

中国专利 :CN111613549A ,2020-09-01

[3]

基片处理装置及基片处理方法 [P].

樱井宏纪 .

日本专利 :CN111613549B ,2024-02-06

[4]

基片处理装置及基片处理方法 [P].

吉田博司 .

日本专利 :CN111755362B ,2025-05-02

[5]

基片处理装置及基片处理方法 [P].

吉田博司 .

中国专利 :CN111755362A ,2020-10-09

[6]

基片处理装置 [P].

山田薰 ;

齐藤孝行 ;

矢部纯夫 ;

伊藤贤也 ;

龟泽正之 ;

关正也 ;

片伯部一郎 ;

井上雄贵 .

中国专利 :CN100442448C ,2006-09-13

[7]

基片处理装置 [P].

堂込公宏 ;

北正知 .

中国专利 :CN114765115A ,2022-07-19

[8]

基片处理装置和基片处理方法 [P].

中岛常长 ;

立石直也 ;

松本惠太 .

日本专利 :CN120527262A ,2025-08-22

[9]

基片处理装置和基片处理方法 [P].

樱井宏纪 ;

许彦瑞 ;

水口将辉 ;

绪方信博 ;

梅野慎一 ;

金珉成 ;

东博之 ;

合田一哉 .

日本专利 :CN117410202A ,2024-01-16

[10]

基片处理装置和基片处理方法 [P].

永田广 ;

西山淳 ;

藤原慎 ;

藤原真树 .

中国专利 :CN110634766A ,2019-12-31

← 1 2 3 4 5 →