宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610127920.5

申请日：

2006-09-01

公开(公告)号：

CN101136432A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

王晓亮马志勇胡国新肖红领冉军学王翠梅罗卫军

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L21335

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20060901 授权公告日:20091028 终止日期:20210901
2008-03-05	公开	公开
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

马志勇 ;

王晓亮 ;

冉军学 ;

胡国新 ;

肖红领 ;

王翠梅 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101140947A ,2008-03-12

[2]

氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

王晓亮 ;

马志勇 ;

冉学军 ;

肖红领 ;

王翠梅 ;

胡国新 ;

唐健 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101266999B ,2008-09-17

[3]

氮化镓异质结场效应晶体管的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230720A ,2017-10-03

[4]

双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法 [P].

王翠梅 ;

冯春 ;

王晓亮 ;

王权 ;

肖红领 ;

姜丽娟 ;

殷海波 .

中国专利 :CN106024881A ,2016-10-12

[5]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230629A ,2017-10-03

[6]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230626A ,2017-10-03

[7]

氮化镓基异质结场效应晶体管及其制造方法 [P].

李俊 .

中国专利 :CN114551584A ,2022-05-27

[8]

纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

冯春 ;

王权 ;

肖红领 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN106601790A ,2017-04-26

[9]

高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法 [P].

彭铭曾 ;

罗卫军 ;

郑英奎 ;

陈晓娟 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN102569390A ,2012-07-11

[10]

一种氮化镓基增强型异质结场效应晶体管 [P].

杜江锋 ;

潘沛霖 ;

陈南庭 ;

于奇 .

中国专利 :CN104157679B ,2014-11-19

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