氮化镓异质结场效应晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610178260.7

申请日：

2016-03-25

公开(公告)号：

CN107230720A

公开(公告)日：

2017-10-03

发明(设计)人：

刘美华孙辉林信南陈建国

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L21335

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

陶敏;刘芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20160325
2017-10-03	公开	公开
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20171003

共 50 条

[1]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230626A ,2017-10-03

[2]

氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

马志勇 ;

王晓亮 ;

冉军学 ;

胡国新 ;

肖红领 ;

王翠梅 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101140947A ,2008-03-12

[3]

氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230629A ,2017-10-03

[4]

氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

王晓亮 ;

马志勇 ;

冉学军 ;

肖红领 ;

王翠梅 ;

胡国新 ;

唐健 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101266999B ,2008-09-17

[5]

宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 [P].

王晓亮 ;

马志勇 ;

胡国新 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 ;

罗卫军 .

中国专利 :CN101136432A ,2008-03-05

[6]

氮化镓场效应晶体管的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230630A ,2017-10-03

[7]

异质结场效应晶体管 [P].

玉井功 ;

户田典彦 ;

星真一 .

中国专利 :CN101521225A ,2009-09-02

[8]

氮化镓场效应晶体管的制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230706A ,2017-10-03

[9]

一种氮化镓异质结场效应晶体管 [P].

刘新科 ;

何佳铸 ;

刘强 ;

俞文杰 ;

吕有明 ;

陈凌霄 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN204927243U ,2015-12-30

[10]

氮化镓场效应晶体管 [P].

A·M·海尔德 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16

← 1 2 3 4 5 →