氮化镓场效应晶体管的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610178259.4
申请日
2016-03-25
公开(公告)号
CN107230706A
公开(公告)日
2017-10-03
发明(设计)人
刘美华 孙辉 林信南 陈建国
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L2945
IPC分类号
H01L21335 H01L21285
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
张莲莲;刘芳
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230629A ,2017-10-03
[2]
氮化镓场效应晶体管的制作方法及氮化镓场效应晶体管 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230626A ,2017-10-03
[3]
氮化镓场效应晶体管的制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230630A ,2017-10-03
[4]
氮化镓场效应晶体管 [P]. 
A·M·海尔德 ;
J·约翰 .
中国专利 :CN105164810A ,2015-12-16
[5]
氮化镓异质结场效应晶体管的制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230720A ,2017-10-03
[6]
具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230633A ,2017-10-03
[7]
氮化镓场效应晶体管的结构和制备方法 [P]. 
鲁微 ;
马俊彩 ;
李水明 ;
马平 .
中国专利 :CN118476032A ,2024-08-09
[8]
一种氮化镓场效应晶体管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
陈建国 ;
林信南 .
中国专利 :CN106601809A ,2017-04-26
[9]
氮化镓场效应晶体管及其制造方法 [P]. 
刘美华 ;
孙辉 ;
林信南 ;
陈建国 .
中国专利 :CN107230628A ,2017-10-03
[10]
场效应晶体管的制作方法 [P]. 
韩秋华 ;
张海洋 .
中国专利 :CN103187284B ,2013-07-03