共掺杂透明导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210393515.3

申请日：

2012-10-17

公开(公告)号：

CN102877049A

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

马洪芳马芳刘志宝刘文斐

申请人：

申请人地址：

250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路山东建筑大学

IPC主分类号：

C23C2008

IPC分类号：

代理机构：

济南舜源专利事务所有限公司 37205

代理人：

侯绪军

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	授权	授权
2013-01-16	公开	公开

共 50 条

[1]

In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法 [P].

何军辉 ;

张春伟 ;

刘拥军 .

中国专利 :CN102332325B ,2012-01-25

[2]

In、Nb共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

刘拥军 ;

王书昶 ;

何军辉 .

中国专利 :CN102268638A ,2011-12-07

[3]

ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

李楠 ;

李旦 ;

水玲玲 ;

金名亮 ;

周国富 .

中国专利 :CN105603400A ,2016-05-25

[4]

一种石墨烯和氟共掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法 [P].

李建生 ;

张发荣 ;

刘建东 ;

王少杰 ;

刘炳光 ;

温子健 ;

李青超 .

中国专利 :CN109524170A ,2019-03-26

[5]

三掺杂新型透明导电薄膜的制备方法 [P].

马洪芳 ;

刘文斐 ;

刘志宝 ;

马芳 ;

张志坚 .

中国专利 :CN102903456A ,2013-01-30

[6]

一种掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法 [P].

张发荣 ;

李建生 ;

王少杰 ;

刘建东 ;

李青超 ;

温子健 .

中国专利 :CN109360691A ,2019-02-19

[7]

透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜 [P].

马志锋 ;

江涛 ;

巩燕龙 ;

许结林 ;

余俊佼 .

中国专利 :CN106571174A ,2017-04-19

[8]

透明导电薄膜的制备方法及透明导电薄膜 [P].

李晨光 ;

王培红 ;

胡国栋 .

中国专利 :CN106637126A ,2017-05-10

[9]

氟和钼共掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备方法 [P].

黄仕华 ;

丁月珂 ;

陆肖励 ;

陈达 .

中国专利 :CN109504941A ,2019-03-22

[10]

多层透明导电薄膜的制备方法 [P].

龙国云 ;

耿永友 .

中国专利 :CN102677012A ,2012-09-19

← 1 2 3 4 5 →