In、Nb共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110188605.4

申请日：

2011-07-07

公开(公告)号：

CN102268638A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

刘拥军王书昶何军辉

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市大学南路88号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428

代理机构：

扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222

代理人：

许必元

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101678053885 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2011101886054 申请公布日:20111207
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174914017 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2011101886054 申请日:20110707
2011-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

林均铭 ;

吴亚贞 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN100554512C ,2008-08-20

[2]

一种Al、F共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

马瑞新 ;

王目孔 ;

康勃 ;

王永刚 ;

赵素丽 ;

章菊萍 ;

王媛媛 .

中国专利 :CN101575697A ,2009-11-11

[3]

In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法 [P].

何军辉 ;

张春伟 ;

刘拥军 .

中国专利 :CN102332325B ,2012-01-25

[4]

一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

宿世臣 ;

王果 ;

凌志聪 .

中国专利 :CN108570643A ,2018-09-25

[5]

一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘敏霞 ;

吴木营 .

中国专利 :CN102912307B ,2013-02-06

[6]

共掺杂透明导电薄膜的制备方法 [P].

马洪芳 ;

马芳 ;

刘志宝 ;

刘文斐 .

中国专利 :CN102877049A ,2013-01-16

[7]

ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

李楠 ;

李旦 ;

水玲玲 ;

金名亮 ;

周国富 .

中国专利 :CN105603400A ,2016-05-25

[8]

ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

宋佳 ;

李文英 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102277570A ,2011-12-14

[9]

镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法 [P].

何军辉 ;

刘振华 ;

刘拥军 .

中国专利 :CN102181826B ,2011-09-14

[10]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

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