一种Al、F共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910086165.4

申请日：

2009-06-09

公开(公告)号：

CN101575697A

公开(公告)日：

2009-11-11

发明(设计)人：

马瑞新王目孔康勃王永刚赵素丽章菊萍王媛媛

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区学院路30号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406

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法律状态：

实质审查的生效

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-11-03	授权	授权
2009-11-11	公开	公开
2013-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101502138283 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2009100861654 申请日:20090609 授权公告日:20101103 终止日期:20120609

共 50 条

[1]

In、Nb共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

刘拥军 ;

王书昶 ;

何军辉 .

中国专利 :CN102268638A ,2011-12-07

[2]

一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘敏霞 ;

吴木营 .

中国专利 :CN102912307B ,2013-02-06

[3]

原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

宋佳 ;

姜来新 ;

牟海川 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102051594B ,2011-05-11

[4]

共掺杂透明导电薄膜的制备方法 [P].

马洪芳 ;

马芳 ;

刘志宝 ;

刘文斐 .

中国专利 :CN102877049A ,2013-01-16

[5]

ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

宋佳 ;

李文英 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102277570A ,2011-12-14

[6]

一种ZnO基透明导电薄膜的制备方法 [P].

谭劲 ;

钟爱华 ;

鄢维 ;

张玮 .

中国专利 :CN102330075A ,2012-01-25

[7]

一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

宿世臣 ;

王果 ;

凌志聪 .

中国专利 :CN108570643A ,2018-09-25

[8]

室温条件下制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

吕建国 ;

王钰萍 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN101709453A ,2010-05-19

[9]

一种ZnO透明导电薄膜及其制备方法 [P].

朱秋华 .

中国专利 :CN107881470A ,2018-04-06

[10]

一种 ZnO/Al/ZnO光电透明导电薄膜的沉积制备方法 [P].

张铁岩 ;

赵琰 ;

张东 ;

赵志刚 ;

张晓慧 ;

李昱材 ;

邓玮 .

中国专利 :CN103031556A ,2013-04-10

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