一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810480227.9

申请日：

2018-05-18

公开(公告)号：

CN108570643A

公开(公告)日：

2018-09-25

发明(设计)人：

宿世臣王果凌志聪

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1428

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

李斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/08 申请日:20180518
2021-09-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/08 申请公布日:20180925
2018-09-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

刘敏霞 ;

吴木营 .

中国专利 :CN102912307B ,2013-02-06

[2]

In、Nb共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

刘拥军 ;

王书昶 ;

何军辉 .

中国专利 :CN102268638A ,2011-12-07

[3]

Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

林均铭 ;

吴亚贞 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN100554512C ,2008-08-20

[4]

一种ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

廉吉庆 ;

张大伟 ;

王小平 ;

王丽军 ;

王兆芳 ;

宁仁敏 ;

宋明丽 ;

柯小龙 ;

陈海将 ;

苏德龙 ;

管璐璐 ;

林承军 .

中国专利 :CN105734512A ,2016-07-06

[5]

ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

李楠 ;

李旦 ;

水玲玲 ;

金名亮 ;

周国富 .

中国专利 :CN105603400A ,2016-05-25

[6]

ZnO/Cu/ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P].

宋佳 ;

李文英 ;

姜来新 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102277570A ,2011-12-14

[7]

MOCVD制备ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

孙小卫 ;

赵俊亮 .

中国专利 :CN102102193A ,2011-06-22

[8]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[9]

原子层沉积制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

宋佳 ;

姜来新 ;

牟海川 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN102051594B ,2011-05-11

[10]

一种ZnO/Ag/ZnO复合透明导电薄膜的制备方法 [P].

王显威 ;

苏留辉 ;

胡艳春 ;

王小二 ;

侯新亚 .

中国专利 :CN104593758A ,2015-05-06

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