In、Sn、Mo、Nb共掺杂透明导电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110309719.X

申请日：

2011-10-13

公开(公告)号：

CN102332325B

公开(公告)日：

2012-01-25

发明(设计)人：

何军辉张春伟刘拥军

申请人：

申请人地址：

225009 江苏省扬州市大学南路88号

IPC主分类号：

H01B514

IPC分类号：

H01B1300 C23C1428 C23C1406

代理机构：

扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222

代理人：

许必元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101203920925 IPC(主分类):H01B 5/14 专利申请号:201110309719X 申请日:20111013
2012-01-25	公开	公开
2012-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

In、Nb共掺杂ZnO基透明导电薄膜及其制备方法 [P].

刘拥军 ;

王书昶 ;

何军辉 .

中国专利 :CN102268638A ,2011-12-07

[2]

Nb掺杂生长n型ZnO透明导电薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

林均铭 ;

吴亚贞 ;

赵炳辉 .

中国专利 :CN100554512C ,2008-08-20

[3]

镓钼共掺杂铟锡氧化物陶瓷靶、透明导电薄膜及制备方法 [P].

何军辉 ;

刘振华 ;

刘拥军 .

中国专利 :CN102181826B ,2011-09-14

[4]

共掺杂透明导电薄膜的制备方法 [P].

马洪芳 ;

马芳 ;

刘志宝 ;

刘文斐 .

中国专利 :CN102877049A ,2013-01-16

[5]

一种氟掺杂氧化铟锡透明导电薄膜及其制备方法 [P].

黄靖云 ;

陆波静 ;

夏功伟 ;

叶志镇 .

中国专利 :CN114807856A ,2022-07-29

[6]

氮掺杂p型透明导电BeZnOS薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

汪洋 ;

黎明锴 ;

李磊 ;

卢寅梅 ;

尹魏玲 ;

李派 ;

常钢 ;

陈俊年 ;

尹向阳 ;

郭启利 ;

李永昌 .

中国专利 :CN112195438A ,2021-01-08

[7]

一种铁硼共掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

姚彦 ;

毕梦雪 ;

孙徕博 ;

黄陆军 ;

耿林 ;

孙枫泊 ;

鲁伟航 ;

张昕 .

中国专利 :CN120555960A ,2025-08-29

[8]

透明导电薄膜及其制造方法 [P].

佐佐和明 ;

山本祐辅 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN104937676A ,2015-09-23

[9]

一种Fe掺杂GZO透明导电薄膜及其制备方法和应用 [P].

毕梦雪 ;

姚彦 ;

孙徕博 ;

黄陆军 ;

耿林 ;

孙枫泊 ;

鲁伟航 ;

张昕 ;

宋鑫 .

中国专利 :CN120400780A ,2025-08-01

[10]

新型金属掺杂ITO透明导电薄膜及其制备方法 [P].

王洪 ;

胡晓龙 ;

文茹莲 .

中国专利 :CN108666399A ,2018-10-16

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