一种结合磁控溅射的离子注入方法

被引：0

申请号：

CN202210033049.1

申请日：

2022-01-12

公开(公告)号：

CN114540777A

公开(公告)日：

2022-05-27

发明(设计)人：

郎文昌蒋慧珍张慧刘艳杰赵涣波陈盛旭林振宇任肖炜

申请人：

申请人地址：

325000 浙江省温州市瑞安市国际汽摩配工业园区

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1448

代理机构：

温州名创知识产权代理有限公司 33258

代理人：

朱海晓

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20220112
2022-05-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种具有磁控溅射组件的离子注入设备 [P].

郎文昌 ;

蒋慧珍 ;

张慧 ;

刘艳杰 ;

赵涣波 ;

陈盛旭 ;

林振宇 ;

任肖炜 .

中国专利 :CN216947171U ,2022-07-12

[2]

一种高效离化的离子注入方法 [P].

郎文昌 ;

钱琦嘉 ;

蒋慧珍 ;

郭景燕 ;

林振宇 ;

陈盛旭 ;

赵涣波 ;

刘艳杰 .

中国专利 :CN114540783A ,2022-05-27

[3]

一种提高离子离化率的离子注入方法 [P].

王向红 ;

黄婷婷 ;

何鸣 ;

张峻颖 .

中国专利 :CN114752909A ,2022-07-15

[4]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

山口干夫 ;

石桥和久 ;

工藤哲也 .

中国专利 :CN114914141A ,2022-08-16

[5]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

笠间泰彦 ;

表研次 ;

横尾邦义 .

中国专利 :CN1906324A ,2007-01-31

[6]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

川崎洋司 ;

佐佐木玄 .

中国专利 :CN110739213A ,2020-01-31

[7]

离子注入方法 [P].

田慧 ;

龙春平 ;

金馝奭 .

中国专利 :CN102629553B ,2012-08-08

[8]

离子注入装置及离子注入装置的控制方法 [P].

佐佐木玄 .

中国专利 :CN109817503B ,2019-05-28

[9]

一种电磁复合机械过滤的离子注入方法 [P].

王向红 ;

李士本 ;

郎文昌 .

中国专利 :CN114737163A ,2022-07-12

[10]

改善离子注入的方法 [P].

田慧 ;

皇甫鲁江 .

中国专利 :CN103715073A ,2014-04-09

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