一种具有磁控溅射组件的离子注入设备

被引：0

申请号：

CN202220077369.2

申请日：

2022-01-12

公开(公告)号：

CN216947171U

公开(公告)日：

2022-07-12

发明(设计)人：

郎文昌蒋慧珍张慧刘艳杰赵涣波陈盛旭林振宇任肖炜

申请人：

申请人地址：

325000 浙江省温州市瑞安市国际汽摩配工业园区

IPC主分类号：

C23C1448

IPC分类号：

C23C1435 C23C1414

代理机构：

温州名创知识产权代理有限公司 33258

代理人：

朱海晓

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-12	授权	授权

共 50 条

[1]

一种结合磁控溅射的离子注入方法 [P].

郎文昌 ;

蒋慧珍 ;

张慧 ;

刘艳杰 ;

赵涣波 ;

陈盛旭 ;

林振宇 ;

任肖炜 .

中国专利 :CN114540777A ,2022-05-27

[2]

一种离子注入设备的高效离化离子发生装置 [P].

郎文昌 ;

钱琦嘉 ;

蒋慧珍 ;

郭景燕 ;

林振宇 ;

陈盛旭 ;

赵涣波 ;

刘艳杰 .

中国专利 :CN217062007U ,2022-07-26

[3]

一种高效离化的离子注入方法 [P].

郎文昌 ;

钱琦嘉 ;

蒋慧珍 ;

郭景燕 ;

林振宇 ;

陈盛旭 ;

赵涣波 ;

刘艳杰 .

中国专利 :CN114540783A ,2022-05-27

[4]

高功率复合脉冲磁控溅射离子注入与沉积方法 [P].

田修波 ;

吴忠振 ;

巩春志 ;

杨士勤 .

中国专利 :CN101838795A ,2010-09-22

[5]

离子注入设备 [P].

徐义 ;

张时阁 .

中国专利 :CN209804588U ,2019-12-17

[6]

离子注入设备 [P].

洪俊华 ;

沈培俊 .

中国专利 :CN203932014U ,2014-11-05

[7]

离子注入设备 [P].

何川 ;

洪俊华 ;

张劲 ;

陈炯 ;

杨勇 .

中国专利 :CN207269015U ,2018-04-24

[8]

离子注入设备 [P].

何川 ;

洪俊华 ;

张劲 ;

陈炯 ;

杨勇 .

中国专利 :CN207458887U ,2018-06-05

[9]

一种离子注入设备 [P].

王学伟 ;

董英宾 ;

胡双 ;

朱可杰 ;

肖广纯 .

中国专利 :CN205428882U ,2016-08-03

[10]

一种离子注入设备 [P].

周波 ;

林锦辉 ;

陈飞 ;

郑志雄 ;

吴虎 .

中国专利 :CN210535625U ,2020-05-15

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