半导体模块的制造方法、半导体模块以及制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080064816.0

申请日：

2010-02-24

公开(公告)号：

CN102782836B

公开(公告)日：

2012-11-14

发明(设计)人：

水野宏纪

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2340

IPC分类号：

B23K119 B23K3102

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258

代理人：

柳春雷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101375919931 IPC(主分类):H01L 23/40 专利申请号:2010800648160 申请日:20100224
2019-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/40 申请日:20100224 授权公告日:20160309 终止日期:20180224
2012-11-14	公开	公开
2016-03-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

益永孝幸 ;

上田和宏 ;

渡边尚威 ;

丸野広司 ;

木田敏彦 .

中国专利 :CN104952815B ,2015-09-30

[2]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

传田俊男 .

日本专利 :CN119833479A ,2025-04-15

[3]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

竹内优辅太 ;

高桥良彰 .

日本专利 :CN118805245A ,2024-10-18

[4]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

伊藤悠策 .

中国专利 :CN108701621A ,2018-10-23

[5]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

富士原明 .

日本专利 :CN119731779A ,2025-03-28

[6]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

山崎真尚 ;

小林稔幸 .

日本专利 :CN117577591A ,2024-02-20

[7]

半导体模块以及半导体模块的制造方法 [P].

安田贵弘 .

日本专利 :CN119920767A ,2025-05-02

[8]

半导体装置、半导体装置的制造装置及半导体装置的制造方法、以及半导体模块 [P].

白水政孝 ;

秦浩公 ;

王亚哲 .

中国专利 :CN105097719A ,2015-11-25

[9]

半导体模块、半导体装置以及半导体模块的制造方法 [P].

上村威 .

中国专利 :CN112185910A ,2021-01-05

[10]

半导体模块的制造方法、半导体模块 [P].

板桥龙也 .

中国专利 :CN103681376A ,2014-03-26

← 1 2 3 4 5 →