一种密致的In2O3导电薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510163327.5

申请日：

2015-04-08

公开(公告)号：

CN104867532B

公开(公告)日：

2015-08-26

发明(设计)人：

冯智董文钧陈旭

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街928号

IPC主分类号：

H01B108

IPC分类号：

H01B1300

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

邱启旺

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-26	公开	公开
2015-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101626829408 IPC(主分类):H01B 1/08 专利申请号:2015101633275 申请日:20150408
2017-01-11	授权	授权
2016-11-16	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741744960 IPC(主分类):H01B 1/08 专利申请号:2015101633275 变更事项:发明人变更前:董文钧;陈旭变更后:冯智;董文钧;陈旭
2020-08-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01B 1/08 登记生效日:20200804 变更事项:专利权人变更前权利人:浙江理工大学变更后权利人:万家润（常州）环保新材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街928号变更后权利人:213149 江苏省常州市武进经济开发区长汀路502号民营工业园E栋4楼

共 50 条

[1]

一种制备高迁移率Mo掺杂In2O3透明导电薄膜的方法 [P].

陈新亮 ;

耿新华 ;

张建军 ;

赵颖 .

中国专利 :CN101560642B ,2009-10-21

[2]

一种藕片结构组装的In2O3微球的制备方法 [P].

程知萱 ;

任晓会 ;

徐甲强 ;

张剑平 ;

张源 .

中国专利 :CN101941733B ,2011-01-12

[3]

一种导电薄膜的制备方法及导电薄膜 [P].

陶虎 ;

倪思远 ;

朱子懿 ;

魏晓玲 ;

柳克银 ;

杨会然 .

中国专利 :CN118888211A ,2024-11-01

[4]

一种导电薄膜的制备方法和导电薄膜 [P].

臧世伟 ;

刘文卿 .

中国专利 :CN116590665B ,2025-11-07

[5]

负载Ru的In2O3纳米材料及其制备方法和应用 [P].

杨明辉 ;

张沈丹 ;

曲奉东 .

中国专利 :CN111735857A ,2020-10-02

[6]

一种Pr掺杂In2O3纳米气敏材料的制备方法 [P].

宋吉明 ;

马志红 ;

陈京帅 ;

牛和林 ;

毛昌杰 .

中国专利 :CN110398520A ,2019-11-01

[7]

一种透明导电薄膜材料的制备方法 [P].

庞晓露 ;

高克玮 ;

于广华 ;

杨会生 ;

刘泉林 ;

王燕斌 .

中国专利 :CN101619445A ,2010-01-06

[8]

低温原位生长In2O3纳米线的方法 [P].

李社强 ;

梁迎新 ;

聂棱 ;

万青 ;

王岩国 ;

邹炳锁 ;

王太宏 .

中国专利 :CN100503445C ,2007-10-31

[9]

一种导电薄膜的制备方法 [P].

陈克勇 .

中国专利 :CN104851515A ,2015-08-19

[10]

一种导电薄膜的制备方法 [P].

何颖沛 .

中国专利 :CN107964178A ,2018-04-27

← 1 2 3 4 5 →