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栅约束硅控整流器ESD器件及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910808916.2
申请日
:
2019-08-29
公开(公告)号
:
CN110504253B
公开(公告)日
:
2019-11-26
发明(设计)人
:
朱天志
申请人
:
申请人地址
:
201315 上海市浦东新区良腾路6号
IPC主分类号
:
H01L2702
IPC分类号
:
H01L29745
H01L2182
H01L2908
代理机构
:
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
:
屈蘅
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-12-20
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20190829
2019-11-26
公开
公开
2021-05-14
授权
授权
共 50 条
[21]
硅控整流器
[P].
洪崇佑
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洪崇佑
;
李建兴
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李建兴
;
高字成
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高字成
;
黄宗义
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黄宗义
.
中国专利
:CN105023913A
,2015-11-04
[22]
硅控整流器
[P].
高超
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高超
.
中国专利
:CN102157519B
,2011-08-17
[23]
硅控整流器
[P].
沈佑书
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沈佑书
;
李品辉
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李品辉
.
中国专利
:CN110021592A
,2019-07-16
[24]
硅控整流器及其制造方法
[P].
朱天志
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朱天志
.
中国专利
:CN110867487A
,2020-03-06
[25]
硅控整流器及其制造方法
[P].
朱天志
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机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
朱天志
.
中国专利
:CN110867487B
,2024-01-05
[26]
硅控整流器及其制造方法
[P].
朱天志
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朱天志
.
中国专利
:CN110854181A
,2020-02-28
[27]
栅控整流器
[P].
王志良
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王志良
;
余金生
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余金生
;
翁博泰
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翁博泰
.
中国专利
:CN201365205Y
,2009-12-16
[28]
一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法
[P].
金湘亮
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金湘亮
;
汪洋
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汪洋
.
中国专利
:CN108389891A
,2018-08-10
[29]
硅控整流器结构及其制造方法
[P].
苏庆
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苏庆
;
刘梅
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刘梅
.
中国专利
:CN102130154A
,2011-07-20
[30]
双向硅控整流器
[P].
王云强
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王云强
.
中国专利
:CN102468344A
,2012-05-23
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