一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810052911.7
申请日
2018-01-19
公开(公告)号
CN108389891A
公开(公告)日
2018-08-10
发明(设计)人
金湘亮 汪洋
申请人
申请人地址
410012 湖南省湘潭市岳麓区麓山南路
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2702 H01L29744 H01L21331
代理机构
湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108
代理人
颜昌伟
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种低压触发高维持电压可控硅整流器静电释放器件 [P]. 
汪洋 ;
陈锡均 ;
周子杰 .
中国专利 :CN108807372B ,2018-11-13
[2]
双向可控硅整流器器件 [P]. 
范炜盛 .
中国专利 :CN120583735A ,2025-09-02
[3]
可控硅整流器器件 [P]. 
何磊 ;
张环 ;
周继峰 .
中国专利 :CN120050958A ,2025-05-27
[4]
可控硅整流器静电保护器件 [P]. 
范炜盛 .
中国专利 :CN120583736A ,2025-09-02
[5]
静电防护电路及其可控硅整流器 [P]. 
朱瑞 ;
陈晓峰 ;
李建峰 .
中国专利 :CN106920843B ,2024-01-09
[6]
静电防护电路及其可控硅整流器 [P]. 
朱瑞 ;
陈晓峰 ;
李建峰 .
中国专利 :CN205376532U ,2016-07-06
[7]
静电防护电路及其可控硅整流器 [P]. 
朱瑞 ;
陈晓峰 ;
李建峰 .
中国专利 :CN106920843A ,2017-07-04
[8]
一种可控硅整流器静电防护器件 [P]. 
朱立群 ;
彭云武 ;
严淼 .
中国专利 :CN102064173A ,2011-05-18
[9]
双触发型可控硅整流器 [P]. 
洪根刚 .
中国专利 :CN101521224B ,2009-09-02
[10]
高性能可控硅整流器器件 [P]. 
S·M·潘迪 ;
S·P·卡拉卡尔 ;
R·克里希纳萨米 ;
陈学深 .
美国专利 :CN118538720A ,2024-08-23