一种磁场可调式离子源

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921330599.X

申请日：

2019-08-16

公开(公告)号：

CN210223942U

公开(公告)日：

2020-03-31

发明(设计)人：

陈晓东

申请人：

申请人地址：

213000 江苏省常州市天宁区郑陆镇青松村

IPC主分类号：

H01J3708

IPC分类号：

H01J3704 H01J3702

代理机构：

常州唯思百得知识产权代理事务所(普通合伙) 32325

代理人：

周颖洁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-31	授权	授权

共 50 条

[1]

一种可调磁场的射频离子源 [P].

袁逢曾 ;

李细柳 ;

杨江 ;

孙桂红 ;

祝海生 ;

梁红 ;

陈立 .

中国专利 :CN221927961U ,2024-10-29

[2]

一种离子源磁场分布结构 [P].

刘野 ;

刘晓华 ;

马槽伟 .

中国专利 :CN205590789U ,2016-09-21

[3]

一种可调式离子源用中和器 [P].

安建昊 ;

唐欢欢 .

中国专利 :CN211719555U ,2020-10-20

[4]

离子源磁场发生装置 [P].

郭建辉 .

中国专利 :CN2779595Y ,2006-05-10

[5]

一种离子源磁场分布结构 [P].

刘野 ;

刘晓华 ;

马槽伟 .

中国专利 :CN105441889A ,2016-03-30

[6]

离子源装置 [P].

日朝俊一 ;

谷口爱实 .

中国专利 :CN111133551A ,2020-05-08

[7]

一种离子源的磁场组件 [P].

缪同群 ;

谢圣鸣 .

中国专利 :CN220439550U ,2024-02-02

[8]

一种离子源 [P].

刁克明 .

中国专利 :CN206022304U ,2017-03-15

[9]

一种离子源 [P].

刘宇 ;

李秋立 ;

唐国强 .

中国专利 :CN208507625U ,2019-02-15

[10]

甲斐裕章 ;

西村一平 .

中国专利 :CN207338293U ,2018-05-08

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