一种结合锗浓缩和离子注入技术制备石墨烯的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910196254.8

申请日：

2019-03-15

公开(公告)号：

CN109879275A

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

王梓豪陈达李久荣王刚顾冰丽高博

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

C01B32186

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260

代理人：

丁少华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-14	公开	公开
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/186 申请日:20190315
2022-01-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 32/186 申请公布日:20190614

共 50 条

[1]

一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

付恩刚 ;

王绪 ;

韩冬 .

中国专利 :CN108364856A ,2018-08-03

[2]

一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法 [P].

张苗 ;

高敏 ;

韩晓雯 ;

贾鹏飞 ;

薛忠营 ;

狄增峰 .

中国专利 :CN108862252A ,2018-11-23

[3]

一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

张苗 ;

陈达 ;

丁古巧 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN102703988A ,2012-10-03

[4]

一种离子注入辅助制备石墨烯玻璃的方法以及一种石墨烯玻璃 [P].

赵子强 ;

赵云彪 ;

李越 .

中国专利 :CN110550869B ,2019-12-10

[5]

基于控制离子注入的能量来制备石墨烯的方法 [P].

狄增峰 ;

王刚 ;

张苗 ;

陈达 ;

叶林 ;

郭庆磊 ;

丁古巧 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN103247520A ,2013-08-14

[6]

一种结合磁控溅射的离子注入方法 [P].

郎文昌 ;

蒋慧珍 ;

张慧 ;

刘艳杰 ;

赵涣波 ;

陈盛旭 ;

林振宇 ;

任肖炜 .

中国专利 :CN114540777A ,2022-05-27

[7]

一种离子注入氧化实现自对准石墨烯晶体管的制造方法 [P].

吴云 ;

曹正义 .

中国专利 :CN110137075A ,2019-08-16

[8]

一种利用层转移和离子注入技术制备SGOI材料的方法 [P].

张苗 ;

薛忠营 ;

张波 ;

魏星 .

中国专利 :CN101866875A ,2010-10-20

[9]

一种离子注入的方法 [P].

苏文华 ;

李振雨 .

中国专利 :CN117637453A ,2024-03-01

[10]

一种制备锗基石墨烯纳米孔的方法 [P].

狄增峰 ;

马骏 ;

张苗 ;

薛忠营 ;

贾鹏飞 ;

汪子文 ;

王刚 ;

王曦 .

中国专利 :CN106276873B ,2017-01-04

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