钽氮化物膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680001458.2

申请日：

2006-03-03

公开(公告)号：

CN101091000A

公开(公告)日：

2007-12-19

发明(设计)人：

五户成史丰田聪牛川治宪近藤智保中村久三

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

H01L213205 H01L21285 H01L2352

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-19	授权	授权
2007-12-19	公开	公开
2008-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091003A ,2007-12-19

[2]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091002A ,2007-12-19

[3]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091001B ,2007-12-19

[4]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091004B ,2007-12-19

[5]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091005A ,2007-12-19

[6]

钽氮化物材料的制造方法和钽氮化物材料 [P].

高桥真人 ;

堂免一成 ;

久富隆史 .

日本专利 :CN119947982A ,2025-05-06

[7]

氮化物半导体膜的形成方法 [P].

高桥伸明 ;

三浦仁嗣 ;

根石浩司 ;

片山竜二 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN112771647A ,2021-05-07

[8]

氮化物半导体膜的形成方法 [P].

高桥伸明 ;

三浦仁嗣 ;

根石浩司 ;

片山竜二 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

日本专利 :CN112771647B ,2024-09-27

[9]

形成氧氮化物膜和氮化物膜的方法和装置、氧氮化物膜、氮化物膜和基材 [P].

藤村纪文 ;

早川竜马 ;

北畠裕也 ;

上原刚 ;

屋良卓也 .

中国专利 :CN1938835A ,2007-03-28

[10]

用于形成氮化物膜的方法 [P].

藤井干 ;

松永正信 ;

山本和弥 ;

梅泽好太 .

中国专利 :CN102543692A ,2012-07-04

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