钽氮化物材料的制造方法和钽氮化物材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380067220.3

申请日：

2023-07-26

公开(公告)号：

CN119947982A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

高桥真人堂免一成久富隆史

申请人：

JX金属株式会社国立大学法人信州大学

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C01B21/06

IPC分类号：

B01J27/24 B01J35/00 B01J35/39 B01J37/04 B01J37/08

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 21/06申请日:20230726

共 50 条

[1]

氮化物材料的制备方法及氮化物材料 [P].

梁智文 ;

王琦 ;

袁冶 ;

王新强 ;

汪青 ;

张国义 .

中国专利 :CN111816550A ,2020-10-23

[2]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091004B ,2007-12-19

[3]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091003A ,2007-12-19

[4]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091002A ,2007-12-19

[5]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091001B ,2007-12-19

[6]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091000A ,2007-12-19

[7]

钽氮化物膜的形成方法 [P].

五户成史 ;

丰田聪 ;

牛川治宪 ;

近藤智保 ;

中村久三 .

中国专利 :CN101091005A ,2007-12-19

[8]

制造氮化物衬底的方法和氮化物衬底 [P].

荒川聪 ;

宫永伦正 ;

樱田隆 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102137960B ,2011-07-27

[9]

金属氮化物及金属氮化物的制造方法 [P].

辻秀人 .

中国专利 :CN1993292B ,2007-07-04

[10]

氮化物层叠体的制造方法和氮化物层叠体 [P].

金木奖太 ;

藤仓序章 ;

横山正史 ;

成田好伸 .

日本专利 :CN120350428A ,2025-07-22

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