氮化物层叠体的制造方法和氮化物层叠体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411750975.6

申请日：

2024-12-02

公开(公告)号：

CN120350428A

公开(公告)日：

2025-07-22

发明(设计)人：

金木奖太藤仓序章横山正史成田好伸

申请人：

住友化学株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

H01L21/02 C30B29/40 C30B25/20 C30B25/16

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物层叠体及氮化物层叠体的制造方法 [P].

渡边圣彦 ;

中村年孝 ;

待永广宣 .

中国专利 :CN115315537A ,2022-11-08

[2]

氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体层叠体 [P].

田尻雅之 ;

伊藤伸之 ;

小河淳 ;

藤重阳介 ;

冈崎舞 ;

远崎学 .

中国专利 :CN106688084A ,2017-05-17

[3]

氮化物晶体衬底的制造方法及氮化物晶体层叠体 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107881557B ,2018-04-06

[4]

III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体 [P].

堀切文正 ;

三岛友义 .

中国专利 :CN113684539A ,2021-11-23

[5]

III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体 [P].

堀切文正 ;

三岛友义 .

中国专利 :CN110191979B ,2019-08-30

[6]

III族氮化物层叠体 [P].

田中丈士 ;

矶野僚多 .

中国专利 :CN112133745A ,2020-12-25

[7]

III族氮化物层叠体 [P].

矶野僚多 ;

田中丈士 .

中国专利 :CN112133746A ,2020-12-25

[8]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981989A ,2025-11-18

[9]

氮化物半导体元件、氮化物半导体层叠体的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN120981988A ,2025-11-18

[10]

氮化物半导体层叠体和氮化物半导体元件的制造方法以及氮化物半导体元件 [P].

吉川阳 ;

张梓懿 ;

久志本真希 ;

屉冈千秋 ;

天野浩 .

日本专利 :CN121058136A ,2025-12-02

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