异质结及由其衍生的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580081002.0

申请日：

2015-06-18

公开(公告)号：

CN108064420A

公开(公告)日：

2018-05-22

发明(设计)人：

弗雷德里克·威特斯康斯坦丁·诺沃肖洛夫

申请人：

申请人地址：

英国曼彻斯特

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3326 H01L3332 H01L3334 H01L2915 H01L2916 H01L2924 H01L29267 H01L2941 H05B3314 H05B3320 H05B3326

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

王子晔;姚开丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20150618 授权公告日:20200630 终止日期:20210618
2018-05-22	公开	公开
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20150618
2020-06-30	授权	授权

共 50 条

[1]

包含异质结的光电子器件 [P].

聂辉 ;

布兰登·M·卡耶斯 ;

伊西克·C·奇吉尔亚里 .

中国专利 :CN102456763A ,2012-05-16

[2]

包含异质结的光电子器件 [P].

聂辉 ;

布兰登·M·卡耶斯 ;

伊西克·C·奇吉尔亚里 .

中国专利 :CN106935675B ,2017-07-07

[3]

包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构 [P].

乔治·A·凯特尔 ;

伯纳·乔司·奥勃特道威 ;

罗伯特·克里斯图福·博文 ;

马克·S·罗迪尔 .

中国专利 :CN105633165A ,2016-06-01

[4]

官能化杂并苯和由其产生的电子器件 [P].

Y·李 ;

Y·吴 ;

B·S·翁 ;

P·刘 .

中国专利 :CN101050269A ,2007-10-10

[5]

半导体和由其产生的电子器件 [P].

Y·吴 ;

P·刘 ;

B·S·翁 .

中国专利 :CN101050268B ,2007-10-10

[6]

电子器件及电子器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山中贞则 ;

高田朋幸 ;

本城和彦 .

中国专利 :CN102714176A ,2012-10-03

[7]

电子器件及制造电子器件的方法 [P].

奥利弗·艾兴格 ;

吴国财 ;

亚历山大·海因里希 ;

迈克尔·于尔斯 ;

康拉德·勒斯利 ;

托比亚斯·施密特 .

中国专利 :CN103137591A ,2013-06-05

[8]

电子器件及制造电子器件的方法 [P].

F·A·拜奥齐 ;

J·T·卡古 ;

J·M·德卢卡 ;

B·J·杜特 ;

C·马丁 .

中国专利 :CN103296002A ,2013-09-11

[9]

半导体组合物、其制法及包含其的电子器件 [P].

吴贻良 .

中国专利 :CN102610754A ,2012-07-25

[10]

微电子器件的制造方法及由该方法制造的微电子器件 [P].

克劳斯·J·里佩 ;

赫维·布兰克 ;

沃尔夫冈·德泽 .

中国专利 :CN1222984C ,2004-03-10

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