半导体和由其产生的电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710089881.9

申请日：

2007-04-05

公开(公告)号：

CN101050268B

公开(公告)日：

2007-10-10

发明(设计)人：

Y·吴 P·刘 B·S·翁

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

C07D40910 C08L6500 H01L5105 H01L5130 H01L5100

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

韦欣华;赵苏林

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-11	授权	授权
2007-10-10	公开	公开
2009-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

官能化杂并苯和由其产生的电子器件 [P].

Y·李 ;

Y·吴 ;

B·S·翁 ;

P·刘 .

中国专利 :CN101050269A ,2007-10-10

[2]

半导体器件和电子器件 [P].

清水完 ;

井上启司 .

中国专利 :CN108110023B ,2018-06-01

[3]

电子器件和包括其的半导体装置 [P].

宋政奎 ;

金润洙 ;

金海龙 ;

朴报恩 ;

李银河 ;

李周浩 ;

李香淑 ;

赵龙僖 ;

曹恩爱 .

中国专利 :CN114447222A ,2022-05-06

[4]

电荷传输半导体材料和包含其的电子器件 [P].

凯·莱德雷尔 ;

斯特芬·伦格 ;

扬·布洛赫维茨-尼莫特 ;

费利克斯·林贝格 ;

哈特穆特·克吕格尔 .

中国专利 :CN109075266B ,2018-12-21

[5]

半导体结构和半导体器件以及电子器件 [P].

周绍珂 ;

余仁旭 ;

李庆 .

中国专利 :CN222674849U ,2025-03-25

[6]

半导体电子器件 [P].

王越 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103227199B ,2013-07-31

[7]

半导体电子器件 [P].

吉田清辉 .

中国专利 :CN100590886C ,2005-03-16

[8]

半导体电子器件 [P].

D·G·帕蒂 ;

M·萨姆比 ;

F·F·R·托亚 ;

S·D·马里亚尼 ;

E·皮兹 ;

G·巴里拉罗 .

中国专利 :CN209496879U ,2019-10-15

[9]

电子器件和半导体封装 [P].

O·奥里 ;

R·贾勒特 .

中国专利 :CN211088245U ,2020-07-24

[10]

半导体结构和电子器件 [P].

岳丹诚 ;

王畅畅 .

中国专利 :CN119008630A ,2024-11-22

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