制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110061249.3

申请日：

2021-01-18

公开(公告)号：

CN113314418A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

关恕沙哈吉·B·摩尔林千李承翰张世杰

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L2910 H01L218234 H01L27088

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210118

共 50 条

[1]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN113314608B ,2024-09-06

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN113314608A ,2021-08-27

[3]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

关恕 ;

沙哈吉·B·摩尔 ;

林千 ;

李承翰 ;

张世杰 .

中国专利 :CN113314418B ,2024-03-08

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B.摩尔 ;

林千 ;

李承翰 ;

张世杰 ;

关恕 .

中国专利 :CN113471146A ,2021-10-01

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

彭成毅 ;

陈文园 ;

谢文兴 ;

许一如 ;

何炯煦 ;

李松柏 ;

田博仁 .

中国专利 :CN111128888B ,2020-05-08

[6]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[7]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[8]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

松田庆太 .

日本专利 :CN110931369B ,2025-02-18

[9]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

松田庆太 .

中国专利 :CN110931369A ,2020-03-27

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

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