电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810225934.X

申请日：

2008-11-07

公开(公告)号：

CN101388431A

公开(公告)日：

2009-03-18

发明(设计)人：

沈光地陈依新

申请人：

申请人地址：

100124北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-03-18	公开	公开
2009-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-01-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101063327921 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200810225934X 公开日:20090318

共 50 条

[1]

电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN201349018Y ,2009-11-18

[2]

双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN201699049U ,2011-01-05

[3]

具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法 [P].

彭青 ;

刘小星 ;

郝亚磊 ;

高艳龙 ;

尹灵峰 ;

梅劲 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394885A ,2022-11-25

[4]

具有复合电流阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

张中玉 ;

黄照明 ;

杨凯 ;

赵方方 ;

蔡家豪 ;

张家豪 .

中国专利 :CN112447891A ,2021-03-05

[5]

具有电流阻挡层的发光二极管及其制作方法 [P].

黄少华 ;

吴志强 .

中国专利 :CN102522472A ,2012-06-27

[6]

具有稳固电流阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

朱知音 ;

王绘凝 ;

冯岩 ;

凡世明 ;

马静超 .

中国专利 :CN117913193A ,2024-04-19

[7]

一种具有电流阻挡层的发光二极管及其制备方法 [P].

彭璐 ;

黄博 ;

刘存志 ;

王成新 .

中国专利 :CN103066175B ,2013-04-24

[8]

包括阻挡层/子层的发光二极管及其制造方法 [P].

D·B·小斯拉特 ;

B·E·威廉斯 ;

P·S·安德鲁斯 ;

J·A·埃德蒙德 ;

S·T·艾伦 ;

J·比哈拉塔恩 .

中国专利 :CN1672268A ,2005-09-21

[9]

具有电流阻挡层的发光二极管芯片及其制备方法 [P].

孙虎 ;

李俊生 ;

胡根水 .

中国专利 :CN113690352A ,2021-11-23

[10]

薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN101834249A ,2010-09-15

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