电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820123610.0

申请日：

2008-11-07

公开(公告)号：

CN201349018Y

公开(公告)日：

2009-11-18

发明(设计)人：

沈光地陈依新

申请人：

申请人地址：

100124北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-18	授权	授权
2015-12-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101639686864 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2008201236100 申请日:20081107 授权公告日:20091118 终止日期:20141107

共 50 条

[1]

电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN101388431A ,2009-03-18

[2]

双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN201699049U ,2011-01-05

[3]

一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 .

中国专利 :CN201374348Y ,2009-12-30

[4]

具有电流阻挡层的发光二极管及其制造方法 [P].

彭青 ;

刘小星 ;

郝亚磊 ;

高艳龙 ;

尹灵峰 ;

梅劲 ;

王江波 .

中国专利 :CN115394885A ,2022-11-25

[5]

一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P].

王汉华 ;

项艺 ;

杨新民 ;

靳彩霞 ;

董志江 .

中国专利 :CN103078027A ,2013-05-01

[6]

一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 .

中国专利 :CN101510580A ,2009-08-19

[7]

一种发光二极管的电流阻挡层结构 [P].

徐海文 ;

杨睿明 .

中国专利 :CN105633231A ,2016-06-01

[8]

具有光阻挡层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108110117B ,2018-06-01

[9]

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN201060869Y ,2008-05-14

[10]

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN100438110C ,2007-07-11

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