一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管

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专利类型
发明
申请号
CN200610169829.X
申请日
2006-12-29
公开(公告)号
CN100438110C
公开(公告)日
2007-07-11
发明(设计)人
沈光地 陈依新 韩金茹
申请人
申请人地址
100176北京市北京经济技术开发区科创二街4号2幢1-4层南部
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人
沈波
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管 [P]. 
沈光地 ;
陈依新 ;
韩金茹 .
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[2]
具有电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管 [P]. 
沈光地 ;
陈依新 ;
李建军 ;
蒋文静 ;
韩金茹 .
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[3]
电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管 [P]. 
沈光地 ;
陈依新 ;
李建军 ;
蒋文静 ;
韩金茹 .
中国专利 :CN201036231Y ,2008-03-12
[4]
双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管 [P]. 
沈光地 ;
陈依新 .
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[5]
薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法 [P]. 
沈光地 ;
陈依新 .
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[6]
电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管 [P]. 
沈光地 ;
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[7]
一种基于ELO技术的倒装结构发光二极管 [P]. 
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蒋建 ;
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[8]
发光二极管 [P]. 
彭少鹏 .
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[9]
一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P]. 
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项艺 ;
杨新民 ;
靳彩霞 ;
董志江 .
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[10]
发光二极管及发光二极管封装 [P]. 
朴德炫 ;
文盛煜 ;
朴相绿 ;
郑炳学 .
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