双电流阻挡层电流输运结构的薄膜型发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020174394.X

申请日：

2010-04-23

公开(公告)号：

CN201699049U

公开(公告)日：

2011-01-05

发明(设计)人：

沈光地陈依新

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号光电子技术实验室

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

吴荫芳

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101665093982 IPC(主分类):H01L 33/14 专利号:ZL201020174394X 申请日:20100423 授权公告日:20110105 终止日期:20150423
2011-01-05	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜型发光二极管中的电流输运结构及其制备方法 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN101834249A ,2010-09-15

[2]

电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN201349018Y ,2009-11-18

[3]

电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

李建军 ;

蒋文静 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN201036231Y ,2008-03-12

[4]

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN201060869Y ,2008-05-14

[5]

一种具有电流输运增透窗口层结构的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN100438110C ,2007-07-11

[6]

一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 .

中国专利 :CN201374348Y ,2009-12-30

[7]

一种发光二极管的电流阻挡层结构 [P].

徐海文 ;

杨睿明 .

中国专利 :CN105633231A ,2016-06-01

[8]

具有电流输运增透窗口层和高反射图形转移衬底结构的发光二极管 [P].

沈光地 ;

陈依新 ;

李建军 ;

蒋文静 ;

韩金茹 .

中国专利 :CN101009353B ,2007-08-01

[9]

电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法 [P].

沈光地 ;

陈依新 .

中国专利 :CN101388431A ,2009-03-18

[10]

一种具有电流阻挡层的发光二极管 [P].

樊邦扬 ;

叶国光 .

中国专利 :CN101510580A ,2009-08-19

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