大面积压印光刻

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380015762.2

申请日：

2013-02-22

公开(公告)号：

CN104303104A

公开(公告)日：

2015-01-21

发明(设计)人：

崔炳镇 S·H·安 M·加纳帕斯苏伯拉曼尼安 M·N·米勒 S·V·斯里尼瓦桑

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

G03F700

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

宋静娴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713137465 IPC(主分类):G03F 7/00 专利申请号:2013800157622 变更事项:申请人变更前权利人:佳能纳米技术公司变更后权利人:分子制模股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国得克萨斯州变更后权利人:美国得克萨斯州变更事项:申请人变更前权利人:分子制模股份有限公司变更后权利人:无登记生效日:20150310
2015-01-21	公开	公开
2019-02-01	授权	授权
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602140541 IPC(主分类):G03F 7/00 专利申请号:2013800157622 申请日:20130222

共 50 条

[1]

大面积压印光刻 [P].

崔炳镇 ;

S·H·安 ;

M·加纳帕斯苏伯拉曼尼安 ;

M·N·米勒 ;

S·V·斯里尼瓦桑 .

中国专利 :CN109407463B ,2019-03-01

[2]

一种大面积TFT光刻装置 [P].

周金运 ;

王新星 ;

雷亮 ;

林清华 ;

裴文彦 .

中国专利 :CN202306140U ,2012-07-04

[3]

一种大面积TFT光刻装置及其光刻方法 [P].

周金运 ;

王新星 ;

雷亮 ;

林清华 ;

裴文彦 .

中国专利 :CN102368138A ,2012-03-07

[4]

一种大面积纳米结构紫外接触式光刻方法 [P].

段辉高 ;

陈雷 ;

周宇 ;

樊夫 ;

胡跃强 ;

贾红辉 .

中国专利 :CN119002184A ,2024-11-22

[5]

一种基于SPP的大面积干涉光刻技术 [P].

郭小伟 ;

刘永智 ;

于全福 .

中国专利 :CN101963761A ,2011-02-02

[6]

大面积柔性光电器件 [P].

李沅民 ;

单洪青 ;

李晓常 ;

施成营 ;

林朝晖 .

中国专利 :CN102201534A ,2011-09-28

[7]

基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法 [P].

邓晓 ;

程鑫彬 ;

谭文 ;

唐朝辉 ;

林子超 ;

李同保 .

中国专利 :CN113777685A ,2021-12-10

[8]

大面积柔性导电薄膜的制备方法 [P].

兰伟 ;

朱承泉 ;

李育仁 ;

苏庆 ;

谢二庆 .

中国专利 :CN102496421A ,2012-06-13

[9]

大面积柔性光电器件的制造方法 [P].

李沅民 ;

施成营 ;

林朝晖 .

中国专利 :CN101980393A ,2011-02-23

[10]

大面积柔性薄膜太阳能电池 [P].

李沅民 ;

施成营 ;

张超华 ;

连重炎 .

中国专利 :CN102176478A ,2011-09-07

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