一种大面积纳米结构紫外接触式光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410839897.0

申请日：

2024-06-26

公开(公告)号：

CN119002184A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

段辉高陈雷周宇樊夫胡跃强贾红辉

申请人：

湖南大学湖大粤港澳大湾区创新研究院（广州增城）

申请人地址：

410000 湖南省长沙市岳麓区麓山南路麓山门

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/16 G03F7/34

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

王兆波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖南省长沙市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20240626
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

大面积纳米光刻系统及其方法 [P].

浦东林 ;

陈林森 ;

朱鹏飞 ;

朱鸣 ;

邵仁锦 .

中国专利 :CN111427237B ,2020-07-17

[2]

一种大面积纳米压印光刻的装置和方法 [P].

兰红波 ;

丁玉成 .

中国专利 :CN102591143A ,2012-07-18

[3]

一种大面积TFT光刻装置及其光刻方法 [P].

周金运 ;

王新星 ;

雷亮 ;

林清华 ;

裴文彦 .

中国专利 :CN102368138A ,2012-03-07

[4]

一种大面积TFT光刻装置 [P].

周金运 ;

王新星 ;

雷亮 ;

林清华 ;

裴文彦 .

中国专利 :CN202306140U ,2012-07-04

[5]

一种大面积制备纳米光栅的方法 [P].

耿照新 ;

吕晓庆 .

中国专利 :CN108333658A ,2018-07-27

[6]

大面积纳米结构阵列的制备方法 [P].

王坚 ;

何增华 ;

王晖 .

中国专利 :CN103540985B ,2014-01-29

[7]

一种气电协同的大面积纳米压印光刻方法 [P].

邵金友 ;

王春慧 ;

田洪淼 ;

李祥明 .

中国专利 :CN105093824B ,2015-11-25

[8]

大面积诱导的纳米结构组装 [P].

J·艾岑伯格 ;

T·N·克鲁彭金 ;

O·塞多伦科 ;

J·A·泰勒 .

中国专利 :CN101588987B ,2009-11-25

[9]

一种大面积转移制备纳米结构的方法 [P].

孙堂友 ;

曹乐 ;

李海鸥 ;

傅涛 ;

刘兴鹏 ;

陈永和 ;

肖功利 ;

李琦 ;

张法碧 ;

李跃 .

中国专利 :CN110098120A ,2019-08-06

[10]

一种大面积纳米阵列的制备方法 [P].

欧欣 ;

贾棋 ;

斯蒂芬·福斯柯 ;

王曦 .

中国专利 :CN104986728A ,2015-10-21

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