半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110197888.2

申请日：

2021-02-22

公开(公告)号：

CN113053855A

公开(公告)日：

2021-06-29

发明(设计)人：

黄信华喻中一林勇志朱瑞霖

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L2364 H01L2708 H01L21768 H01L21822

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-29	公开	公开
2021-07-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20210222

共 50 条

[1]

半导体结构和集成电路以及用于形成三维沟槽电容器的方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

林勇志 ;

朱瑞霖 .

中国专利 :CN113053855B ,2024-12-24

[2]

集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法 [P].

郑新立 ;

林均颖 ;

亚历山大卡尔尼斯基 ;

黄士芬 ;

苏淑慧 ;

许庭祯 ;

简铎欣 ;

徐英杰 ;

吴细闵 ;

张聿骐 .

中国专利 :CN113053877A ,2021-06-29

[3]

集成电路、半导体结构及形成沟槽电容器的方法 [P].

郑新立 ;

林均颖 ;

亚历山大卡尔尼斯基 ;

黄士芬 ;

苏淑慧 ;

许庭祯 ;

简铎欣 ;

徐英杰 ;

吴细闵 ;

张聿骐 .

中国专利 :CN113053877B ,2025-03-21

[4]

半导体结构、集成芯片和形成沟槽电容器的方法 [P].

张耀文 ;

金海光 .

中国专利 :CN111261611A ,2020-06-09

[5]

半导体集成电路的电容器 [P].

李韩民 ;

崔潘秋 ;

欧权孙 ;

洪森门 ;

洪森文 ;

柳坤汉 .

中国专利 :CN206040640U ,2017-03-22

[6]

包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法 [P].

黄益民 .

中国专利 :CN112397485A ,2021-02-23

[7]

包括电容器的集成电路和形成沟槽电容器的方法 [P].

黄益民 .

中国专利 :CN112397485B ,2024-11-29

[8]

半导体集成电路的电容器以及其制造方法 [P].

李韩民 ;

崔潘秋 ;

欧权孙 ;

洪森门 ;

洪森文 ;

柳坤汉 .

中国专利 :CN106960839A ,2017-07-18

[9]

电容器、电容器的制造方法及半导体集成电路 [P].

林茂雄 ;

张大鹏 ;

朱畅 ;

韦鸿运 ;

刘刚 ;

蒋云峰 .

中国专利 :CN107068650A ,2017-08-18

[10]

半导体结构、集成电路以及形成半导体结构的方法 [P].

陈胜捷 ;

刘铭棋 .

中国专利 :CN112530974B ,2024-10-29

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